一種優(yōu)化米勒電容的功率器件及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010766099.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111952353A 公開（公告）日 2020-11-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN111952353A 申請(qǐng)公布日 2020-11-17
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/423;H01L23/64;H01L29/739;H01L21/335 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龔大衛(wèi);劉劍;鄭澤人;王玉林 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 揚(yáng)州國(guó)揚(yáng)電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 代理人 揚(yáng)州國(guó)揚(yáng)電子有限公司
地址 225000 江蘇省揚(yáng)州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)吳州東路188號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種優(yōu)化米勒電容的功率器件，包括N型襯底、位于N型襯底下方的集電極、位于N型襯底上層邊緣的P型井、位于P型井中的重?fù)诫sN型區(qū)和重?fù)诫sP型區(qū)、位于重?fù)诫sN型區(qū)和重?fù)诫sP型區(qū)上方的發(fā)射極、位于N型襯底上層中間的柵氧化層和位于柵氧化層上方的柵極，所述柵氧化層中間部分厚度大于邊緣部分厚度，柵氧化層下方電子電流和空穴電流流經(jīng)的區(qū)域處于柵氧化層邊緣部分所在區(qū)域，柵氧化層邊緣部分為常規(guī)柵氧厚度，在不影響器件導(dǎo)通壓降的情況下，減小器件的米勒電容。