一種柵控型功率器件
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201921243418.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN210245507U | 公開（公告）日 | 2020-04-03 |
| 申請公布號 | CN210245507U | 申請公布日 | 2020-04-03 |
| 分類號 | H01L29/739(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉劍;鄭澤人;龔大衛(wèi);王玉林 | 申請（專利權(quán)）人 | 揚(yáng)州國揚(yáng)電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 揚(yáng)州國揚(yáng)電子有限公司 |
| 地址 | 225101江蘇省揚(yáng)州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)吳州東路188號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種柵控型功率器件，包括多個(gè)原胞，原胞包括硅襯底，硅襯底頂部設(shè)有兩個(gè)分離的柵極氧化層，每個(gè)柵極氧化層頂部均設(shè)有柵極多晶硅層，每個(gè)柵極多晶硅層頂部均設(shè)有硅化鎢層，每個(gè)硅化鎢層均外包裹有層間介質(zhì)層，兩個(gè)層間介質(zhì)層之間設(shè)有發(fā)射極接觸孔，發(fā)射極接觸孔和兩個(gè)層間介質(zhì)層的上方均設(shè)有金屬層，發(fā)射極接觸孔下方設(shè)有P型井，P型井中還設(shè)有源極，源極分別連接?xùn)艠O多晶硅層和發(fā)射極接觸孔。本實(shí)用新型有效減小了芯片的面積，并且使得柵極的方塊電阻能夠大幅度下降。?? |
