集成器件表面原子級光滑電連接薄片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910234423.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111755338A 公開（公告）日 2020-10-09
申請公布號 CN111755338A 申請公布日 2020-10-09
分類號 H01L21/48(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭泉水;黃軒宇 申請（專利權）人 深圳清力技術有限公司
代理機構 北京中政聯(lián)科專利代理事務所（普通合伙） 代理人 陳超
地址 518118廣東省深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值乐窨由鐓^(qū)蘭景中路16號國富文化創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)廠區(qū)廠房A601
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種能夠形成集成器件表面原子級光滑電連接薄片的制備方法，利用一層可去除的具有原子級光滑表面的材料，在其表面進行器件集成，通過反向刻蝕加工的方法，最后將該材料通過刻蝕方法去除，從而得到一個集成了金屬互聯(lián)的原子級光滑表面的電連接薄片結構，可通過集成不同的器件從而實現(xiàn)不同的功能。??