IPM的封裝方法以及IPM封裝中的鍵合方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910315116.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111834350A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-27 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111834350A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-27 |
| 分類號(hào) | H01L25/16(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王永庭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無(wú)錫華潤(rùn)安盛科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 無(wú)錫華潤(rùn)安盛科技有限公司 |
| 地址 | 214028江蘇省無(wú)錫市新區(qū)錫梅路55號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種IPM的封裝方法以及IPM封裝中的鍵合方法，對(duì)IGBT芯片與電路板之間直徑相對(duì)較粗的第一引線采用頻率相對(duì)較低的超聲波進(jìn)行第一冷超聲波鍵合，對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片與電路板之間的直徑相對(duì)較細(xì)的第二引線采用頻率相對(duì)較高的超聲波進(jìn)行第二冷超聲波鍵合。好處在于：相對(duì)于金銅線熱超聲波鍵合，利用冷超聲波鍵合無(wú)需加熱，可以避免高溫加熱導(dǎo)致的承載IGBT芯片及驅(qū)動(dòng)芯片的絕緣基板與基島分離，以及避免分離過(guò)程中絕緣基板撕裂導(dǎo)致的絕緣性能變差，進(jìn)而避免IPM耐壓性差及散熱不良等問(wèn)題，提高IPM良率和性能。?? |
