一種高電子遷移率晶體管及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610852160.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106298910A 公開（公告）日 2017-01-04
申請公布號 CN106298910A 申請公布日 2017-01-04
分類號 H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣苓利;沈忱;于洪宇;李濤;紀(jì)冬梅 申請（專利權(quán)）人 蘇州珂晶達(dá)電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 南方科技大學(xué);蘇州珂晶達(dá)電子有限公司
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗學(xué)苑大道1088號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高電子遷移率晶體管及制備方法，其中，高電子遷移率晶體管包括：襯底；位于襯底上的半導(dǎo)體層，其中，半導(dǎo)體層包括有源區(qū)，有源區(qū)包括源區(qū)、漏區(qū)及源區(qū)與漏區(qū)之間的柵區(qū)，半導(dǎo)體層包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)，異質(zhì)界面形成二維電子氣，柵區(qū)的半導(dǎo)體層上形成有凹槽，且凹槽下方半導(dǎo)體層的厚度大于滿足增強(qiáng)型晶體管條件的厚度；位于半導(dǎo)體層上兩端的源極和漏極；位于凹槽中的第一介質(zhì)層；位于第一介質(zhì)層上的浮柵；包覆浮柵和第一介質(zhì)層的第二介質(zhì)層；位于第二介質(zhì)層上的控制柵。本發(fā)明解決了增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管的工藝控制難度高和工藝重復(fù)性差的問題，提高了半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，降低了編程電荷密度，增強(qiáng)了半導(dǎo)體器件的可靠性。