一種高空核爆環(huán)境下的光電池
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010677395.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111916442A | 公開（公告）日 | 2020-11-10 |
| 申請公布號 | CN111916442A | 申請公布日 | 2020-11-10 |
| 分類號 | H01L27/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 紀冬梅 | 申請（專利權(quán)）人 | 蘇州珂晶達電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 逯長明;許偉群 |
| 地址 | 215021江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)北擺宴街8號恒潤商務(wù)大廈3樓C-3 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請涉及高空核爆環(huán)境的防輻射技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光電池。核爆環(huán)境中的高能粒子，會使芯片的電路產(chǎn)生電壓路軌塌陷效應(yīng)，造成芯片狀態(tài)錯誤，產(chǎn)生災(zāi)難性后果。為了使芯片電路具備抗輻射能力，傳統(tǒng)上使用電容的方式補償光電流產(chǎn)生的電壓降，存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、單位電荷量少以及體積大的缺點。本申請?zhí)峁┮环N光電池，包括PN結(jié)系統(tǒng)和肖特基二極管；通過堆疊PN結(jié)接收X射線產(chǎn)生光電流，使用肖特基二極管控制電路的電流方向，補償核爆對芯片電路造成的電壓降；同時由于光電池產(chǎn)生的光電流隨X射線劑量率增大而增大，具有自適應(yīng)性，使電路更適用于核爆環(huán)境；本申請具有結(jié)構(gòu)簡單、光電池面積較小以及穩(wěn)壓效果良好的優(yōu)點。?? |
