一種泛半導(dǎo)體制造設(shè)備用雙極靜電卡盤及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111398828.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114121766A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114121766A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張立祥;趙凱 申請（專利權(quán)）人 蘇州眾芯聯(lián)電子材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王春麗
地址 215000江蘇省蘇州市吳中區(qū)甪直鎮(zhèn)迎賓西路988號6幢101-102-201-202室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種泛半導(dǎo)體制造設(shè)備用雙極靜電卡盤及其制作方法，包括金屬基體上板、金屬基體下板、位于金屬基體上板上表面的絕緣層一以及絕緣層二；所述絕緣層一與絕緣層二中間水平交錯均勻排列有電極層一與電極層二，所述電極層一與電極層二均由若干電極線組成，且所述電極線寬度為0.5～1毫米，所述電極線之間的間距為0.2～1毫米，所述電極層一與電極層二分別與兩個位于金屬基體上板內(nèi)的給電棒相連接，吸附晶圓時，對兩個給電棒分別通以極性相反的電壓，使電極層一與電極層二表面形成極性相反的靜電。本發(fā)明較低的電壓下能在靜電卡盤表面產(chǎn)生足夠的吸附力，減少靜電卡盤使用時發(fā)生放電的概率，加快更換晶圓或玻璃基板時靜電消散的速度，提高設(shè)備利用率。