一種用于LCD和AMOLED干刻下部電極的再生工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110970139.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113667919A 公開（公告）日 2021-11-19
申請公布號 CN113667919A 申請公布日 2021-11-19
分類號 C23C4/02（2006.01）I;C23C4/01（2016.01）I;C23C4/11（2016.01）I;C23C4/134（2016.01）I;H01J37/32（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張立祥;趙凱 申請（專利權(quán)）人 蘇州眾芯聯(lián)電子材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王春麗
地址 215000江蘇省蘇州市吳中區(qū)甪直鎮(zhèn)迎賓西路988號6幢101-102-201-202室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于LCD和AMOLED干刻下部電極的再生工藝，包括以下步驟：S11，將需要再生的電極從干刻設(shè)備中拆卸下來；S12，去除電極表面原有陶瓷涂層的表層部分；S13，用遮蔽材料對電極背面和側(cè)面進(jìn)行遮蔽；S14，對電極表面進(jìn)行噴砂；S15，用熱噴涂方法在電極表面覆上一層陶瓷涂層；S16，完成噴涂后去除S13中的遮蔽材料；S17，對噴涂的陶瓷涂層進(jìn)行封孔；S18，對電極表面進(jìn)行加工，使所述電極表面四周形成一個凸起；S19，將電極與干刻設(shè)備重新組裝。通過本發(fā)明中所描述的工藝再生后的干刻下部電極，其表面陶瓷層的絕緣性、致密性、硬度等性能與新品一致，再生后使用壽命可延長至6個月左右，且可重復(fù)再生，可顯著降低面板廠家采購新品電極的頻率，降低其成本。