一種納米錫-二硫化鉬復(fù)合物負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811503312.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN109560280A | 公開(公告)日 | 2019-04-02 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN109560280A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-04-02 |
分類號(hào) | H01M4/36(2006.01)I; H01M4/38(2006.01)I; H01M4/485(2010.01)I; H01M10/0525(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 馬志鴻; 耿海龍; 胡博; 王寶英; 曲翊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 包頭市石墨烯材料研究院有限責(zé)任公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 包頭市石墨烯材料研究院有限責(zé)任公司 |
地址 | 014030 內(nèi)蒙古自治區(qū)包頭市青山區(qū)裝備園區(qū)北大科技園二號(hào)樓三層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種納米錫?二硫化鉬復(fù)合物負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明制備的材料,二硫化鉬呈片層結(jié)構(gòu),錫以顆粒形式彌散的分布于二硫化鉬片上,錫顆粒的粒徑為8~15nm。制備方法包括:用SnCl4溶液對(duì)二硫化鉬進(jìn)行浸漬后,通過氫化還原的方法制備得到所述的錫?二硫化鉬復(fù)合物負(fù)極材料。本發(fā)明利用二硫化鉬的層狀結(jié)構(gòu),緩沖錫材料在嵌鋰過程中的體積變化,抵消部分內(nèi)應(yīng)力;提升錫基電極的循環(huán)穩(wěn)定性。本發(fā)明中所制備的錫?二硫化鉬復(fù)合物電極的循環(huán)容量保持率較商品錫粉有顯著提高,且大電流放電時(shí)容量下降較小,平臺(tái)效應(yīng)不明顯,倍率放電結(jié)束后容量損失率小。 |
