三相逆變功率模塊的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)及其增材制造工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110903745.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113629045A 公開（公告）日 2021-11-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN113629045A 申請(qǐng)公布日 2021-11-09
分類號(hào) H01L25/07（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L23/04（2006.01）I;H01L23/06（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H02M7/00（2006.01）I;H02M7/5387（2007.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鮑婕;張俊武;周斌;胡娟;周云艷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 黃山谷捷散熱科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司 代理人 韓鳳
地址 245061安徽省黃山市徽州區(qū)城北工業(yè)園文峰西路10號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種三相逆變功率模塊的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)及其增材制造工藝，該結(jié)構(gòu)包括：由IGBT芯片和續(xù)流二極管芯片組成的功率單元，由中間開槽的氮化鋁陶瓷底板、制作有圖形化通孔的氮化鋁陶瓷頂蓋、上下銅導(dǎo)電層、導(dǎo)電銅柱共同構(gòu)成的封裝輔助單元，以及銅底鋁翅片散熱器和石墨烯基導(dǎo)熱塊構(gòu)成的散熱單元。本發(fā)明采用增材制造工藝，將功率芯片嵌入陶瓷基板內(nèi)部，從而增強(qiáng)模塊內(nèi)部水平方向的熱傳導(dǎo)；同時(shí)，在氮化鋁陶瓷底板和陶瓷頂蓋外圍制作石墨烯基導(dǎo)熱塊，使橫向傳導(dǎo)出來(lái)的熱量通過(guò)導(dǎo)熱塊傳遞給銅底鋁翅片散熱器，從而增加功率芯片的散熱路徑。