發(fā)光二極管金電極的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810219454.2 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN101420009B 公開（公告）日 2010-09-22
申請公布號(hào) CN101420009B 申請公布日 2010-09-22
分類號(hào) H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳國聰;王孟源;黃少華;雷秀錚 申請（專利權(quán)）人 海鹽杭州灣大橋新區(qū)開發(fā)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 普光科技（廣州）有限公司;浙江亞威朗科技有限公司
地址 510530 廣東省廣州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東區(qū)駿功路16號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管金電極的制備方法，該方法是先依次蒸鍍具有歐姆接觸的金屬層和一層薄金層，再采用化學(xué)還原鍍金在蒸鍍的薄金層表面上析出所需厚度的金層，即完成了發(fā)光二極管金電極的制備。本發(fā)明采用化學(xué)還原鍍金法制備金電極，節(jié)省大量的金用量，降低原材料成本。本發(fā)明的制備方法操作簡易，鍍液儲(chǔ)存穩(wěn)定，制得的金電極純度高、表面光亮、致密均勻、無針洞裂痕等缺陷，而且結(jié)合牢固。