發(fā)光二極管芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201020275536.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN201749876U 公開（公告）日 2011-02-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN201749876U 申請(qǐng)公布日 2011-02-16
分類號(hào) H01L33/62(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭暉;馬欣榮;閆春輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 海鹽杭州灣大橋新區(qū)開發(fā)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 亞威朗光電（中國）有限公司;浙江亞威朗科技有限公司
地址 314305 浙江省海鹽縣開發(fā)區(qū)銀灘路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供發(fā)光二極管芯片，包括生長襯底、半導(dǎo)體外延層和透明電極，其中，半導(dǎo)體外延層包括N-類型限制層、活化層、P-類型限制層，該發(fā)光二極管(LED)芯片還形成有半導(dǎo)體外延層半通槽，該半導(dǎo)體外延層半通槽穿過透明電極、P-類型限制層和活化層，底部是N-類型限制層，在透明電極上還形成有鈍化層，該鈍化層覆蓋半導(dǎo)體外延層半通槽的側(cè)面和底面，該LED芯片還包括：P-打線焊盤及至少一個(gè)P-條形電極；其中，P-打線焊盤形成在所述的鈍化層上，使得P-打線焊盤不與透明電極直接接觸；P-條形電極形成在暴露的透明電極上，P-打線焊盤與P-條形電極電連接。本實(shí)用新型能夠避免電流擁塞。