發(fā)光二極管芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201020275529.1 申請日 -
公開（公告）號 CN201820780U 公開（公告）日 2011-05-04
申請公布號 CN201820780U 申請公布日 2011-05-04
分類號 H01L33/38(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭暉;馬欣榮;閆春輝 申請（專利權）人 海鹽杭州灣大橋新區(qū)開發(fā)有限公司
代理機構 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 亞威朗光電（中國）有限公司;浙江亞威朗科技有限公司
地址 314305 浙江省海鹽縣開發(fā)區(qū)銀灘路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片形成有半導體外延層半通槽，該半導體外延層半通槽穿過透明電極、P-類型限制層和活化層，底部是N-類型限制層；透明電極上還形成有鈍化層，該鈍化層覆蓋半導體外延層半通槽的側面和底面，在鈍化層覆蓋半導體外延層半通槽的底面的位置上形成有至少一個N-半通槽，使得所述的N-類型限制層在所述N-半通槽中暴露；該發(fā)光二極管芯片還包括：N-打線焊盤及至少一個N-條形電極；其中，N-打線焊盤形成在所述的鈍化層上，使得N-打線焊盤不與N-類型限制層直接接觸；N-條形電極形成在所述N-半通槽中暴露的N-類型限制層上；N-打線焊盤與N-條形電極電連接。本實用新型能夠避免電流擁塞。