非矩形發(fā)光芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201020500740.9 申請日 -
公開（公告）號 CN201956384U 公開（公告）日 2011-08-31
申請公布號 CN201956384U 申請公布日 2011-08-31
分類號 H01L33/20(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 閆春輝;張劍平;彭暉;郭文平;趙方海;柯志杰;馬欣榮 申請（專利權(quán)）人 海鹽杭州灣大橋新區(qū)開發(fā)有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 314305 浙江省海鹽縣海鹽經(jīng)濟開發(fā)區(qū)大橋新區(qū)銀灘路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型的高出光效率的芯片，包括外延生長襯底、半導(dǎo)體外延層、電極；其中，半導(dǎo)體外延層包括N-類型限制層、發(fā)光層和P-類型限制層；電極包括N-電極和P-電極；半導(dǎo)體外延層形成在外延生長襯底上，N-電極和P-電極分別形成在N-類型限制層和P-類型限制層上。芯片的頂視形狀是非正方形或非矩形，包括，三角形、四邊形、五邊形、六邊形、七邊形，和八邊形。四邊形包括，平行四邊形。一個實施例：平行四邊形的芯片的相鄰的兩邊的長度的比例等于1。芯片的側(cè)面的形狀是非矩形，芯片的側(cè)面的形狀是從一組形狀中選出，該組形狀包括梯形和倒梯形。