一種激光卡槽制程后改善工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010674758.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112038229A 公開（公告）日 2020-12-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112038229A 申請(qǐng)公布日 2020-12-04
分類號(hào) H01L21/304;B23K26/36;B23K26/402 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳清池 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 聯(lián)立（徐州）半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)策知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 聯(lián)立（徐州）半導(dǎo)體有限公司
地址 221000 江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)清潔技術(shù)產(chǎn)業(yè)園服務(wù)中心213室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種激光卡槽制程后改善工藝，其步驟具體如下：(1).調(diào)整DOE的角度，使其與生產(chǎn)的IC形成一定的傾斜角度；(2).在步驟(1)的基礎(chǔ)上對(duì)IC依次進(jìn)行Grooving process制程工藝。通過改變DOE與IC之間的角度，從而賦予DOE一個(gè)微小角度設(shè)定，使晶側(cè)僅受到一個(gè)Laser Beam的接觸，達(dá)到降低熱效應(yīng)對(duì)晶側(cè)的影響和保證了晶圓的生產(chǎn)質(zhì)量的目的。