含有增強元胞設計的功率MOSFET器件
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011060377.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112234095A | 公開（公告）日 | 2021-01-15 |
| 申請公布號 | CN112234095A | 申請公布日 | 2021-01-15 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 任娜 | 申請（專利權）人 | 濟南星火技術發(fā)展有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京君慧知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） | 代理人 | 濟南星火技術發(fā)展有限公司 |
| 地址 | 250118山東省濟南市槐蔭區(qū)美里湖美里路中段 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請公開了含有增強元胞設計的功率MOSFET器件，用以解決如何在不改變器件工藝流程和成本，以及不犧牲較多其他性能的條件下，降低柵極氧化物中的電場強度的技術問題。本申請中的功率MOSFET器件包括：具有第一導電類型的外延層；若干個具有第二導電類型的第一區(qū)域，均勻分布于外延層的上表面，且各第一區(qū)域分別與外延層形成第一PN結(jié)；若干個具有第二導電類型的中央注入結(jié)構(gòu)，均勻分布于JFET區(qū)域內(nèi)；JFET區(qū)域由任意兩個相鄰的第一區(qū)域之間的空隙構(gòu)成；其中，若干個中央注入結(jié)構(gòu)為圓形或者正多邊形。本申請通過中央注入結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了電場屏蔽，進而降低了柵極氧化物中的電場強度，提高了器件的可靠性。?? |
