帶有等離子體擴散層的復(fù)合PiN肖特基二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010312456.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111640784A 公開（公告）日 2020-09-08
申請公布號 CN111640784A 申請公布日 2020-09-08
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任娜;李宛曈;劉旺;黃治成 申請（專利權(quán)）人 濟南星火技術(shù)發(fā)展有限公司
代理機構(gòu) 北京君慧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京天岳京成電子科技有限公司;濟南星火技術(shù)發(fā)展有限公司
地址 100080北京市海淀區(qū)丹棱街18號1號樓19層19019號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及帶有等離子體擴散層的復(fù)合PiN肖特基二極管，二極管包括：PN結(jié)，形成所述PN結(jié)的第一導(dǎo)電區(qū)域和第二導(dǎo)電區(qū)域，設(shè)置有等離子體擴散層的擴散單元，在所述擴散單元中，通過所述等離子體擴散通道連接第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，以使浪涌大電流條件下產(chǎn)生的等離子體通過所述通道擴散。通過設(shè)計等離子體擴散層，將多個獨立的PN結(jié)連接起來，使得器件在受到浪涌大電流沖擊的情況下，器件內(nèi)部的電流以及產(chǎn)生的熱量可以均勻地擴散到整個器件的各個區(qū)域，有效地防止器件發(fā)生局部過熱造成器件損壞，從而提高器件的抗浪涌電流能力，增強器件的可靠性。??