多種元胞設(shè)計(jì)的復(fù)合PiN肖特基二極管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010311920.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111640783A | 公開（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111640783A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-08 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 任娜;黃治成;劉旺;李宛曈 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 濟(jì)南星火技術(shù)發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京君慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 北京天岳京成電子科技有限公司;濟(jì)南星火技術(shù)發(fā)展有限公司 |
| 地址 | 100080北京市海淀區(qū)丹棱街18號(hào)1號(hào)樓19層19019號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及多種元胞設(shè)計(jì)的復(fù)合PiN肖特基二極管，包括：第二導(dǎo)電區(qū)域排布有多個(gè)元胞；多個(gè)元胞中的第一元胞包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域環(huán)繞第二區(qū)域設(shè)置，多個(gè)元胞中的第二元胞包括第三區(qū)域，多個(gè)元胞中的第三元胞包括第四區(qū)域，第一區(qū)域和/或第三區(qū)域與外延層間形成第一PN結(jié)，所述第二區(qū)域與外延層間形成第二PN結(jié)，第四區(qū)域與所述外延層間形成第三PN結(jié)；第三PN結(jié)的寬度大于所述第一PN結(jié)和所述第二PN結(jié)的寬度，用于使在浪涌大電流的條件下，第三PN結(jié)比第一PN結(jié)和所述第二PN結(jié)先開啟。通過(guò)不同尺寸PN結(jié)的設(shè)計(jì)，可以在盡量保持或不影響肖特基二極管正常電流導(dǎo)通模式性能的情況下，更高效的利用器件有源區(qū)面積，使浪涌大電流均勻的分散在器件的表面，從而有效的降低因局部過(guò)熱而造成的器件損壞，提高其穩(wěn)定性。?? |
