帶有等離子體擴(kuò)散層的復(fù)合PiN肖特基二極管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010311264.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111640781A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111640781A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-08 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 任娜;劉旺;黃治成;李宛曈 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 濟(jì)南星火技術(shù)發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京君慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 北京天岳京成電子科技有限公司;濟(jì)南星火技術(shù)發(fā)展有限公司 |
| 地址 | 100080北京市海淀區(qū)丹棱街18號(hào)1號(hào)樓19層19019號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及帶有等離子體擴(kuò)散層的復(fù)合PiN肖特基二極管，包括：第二導(dǎo)電區(qū)域，其中，所述第二導(dǎo)電區(qū)域由元胞和等離子體擴(kuò)散層構(gòu)成；所述等離子體擴(kuò)散層包括多條條形結(jié)構(gòu)的等離子擴(kuò)散通道，所述等離子擴(kuò)散通道用于連接所述多個(gè)構(gòu)成第二導(dǎo)電區(qū)域元胞中的部分元胞，以使器件在承受浪涌電流沖擊的情況下產(chǎn)生的等離子體通過(guò)所述等離子擴(kuò)散通道均勻的擴(kuò)散到器件表面。本發(fā)明通過(guò)設(shè)計(jì)等離子體擴(kuò)散層，將多個(gè)獨(dú)立的元胞結(jié)構(gòu)連接起來(lái)，使得器件在受到浪涌大電流沖擊的情況下，器件內(nèi)部的電流以及產(chǎn)生的熱量可以均勻地?cái)U(kuò)散到整個(gè)器件的各個(gè)區(qū)域，有效地防止器件發(fā)生局部過(guò)熱造成器件損壞，從而提高器件的抗浪涌電流能力，增強(qiáng)器件的可靠性。?? |
