一種高性能MEMS流量傳感器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110275554.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113049053A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113049053A 申請公布日 2021-06-29
分類號 G01F1/688;G01F1/684;G01F15/02;G01F15/04;G01L9/06 分類 測量；測試;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 青島芯笙微納電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 青島華慧澤專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉娜
地址 266100 山東省青島市嶗山區(qū)科苑緯一路1號青島國際創(chuàng)新園B座402室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高性能MEMS流量傳感器及其制備方法，該流量傳感器包括：SOI襯底，包括底層硅、埋氧層及頂層硅；腔體，包括第一腔體和第二腔體，均沿上下向貫穿底層硅；敏感材料層，位于所述埋氧層上，由部分所述頂層硅形成，包括溫度敏感元件、熱電堆、加熱器及壓力敏感元件；絕緣介質(zhì)層，覆蓋所述敏感材料層，且局部刻蝕出接觸孔；金屬層，部分金屬層通過所述接觸孔連接所述敏感材料層。本發(fā)明采用具有較大塞貝克系數(shù)的P型/N型單晶硅作為熱電堆材料，可有效提高器件的靈敏度；此外，本發(fā)明在常規(guī)MEMS流量傳感器上集成制造了溫度敏感單元和壓力敏感單元，以便在不增設(shè)溫度和壓力傳感器的前提下對流量的測量結(jié)果進(jìn)行補(bǔ)償，提高器件的檢測精度。