一種高靈敏度MEMS流量傳感器芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010979042.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112146717A 公開（公告）日 2020-12-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN112146717A 申請(qǐng)公布日 2020-12-29
分類號(hào) G01F1/684;G01F1/688 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 胡國(guó)慶 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 青島芯笙微納電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 青島華慧澤專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 青島芯笙微納電子科技有限公司
地址 266100 山東省青島市嶗山區(qū)科苑緯一路1號(hào)青島國(guó)際創(chuàng)新園B座402室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高靈敏度MEMS流量傳感器芯片，包括設(shè)置于微加熱器底部的底層介質(zhì)薄膜、設(shè)置于底層介質(zhì)薄膜下方的硅襯底，以及設(shè)置于底層介質(zhì)薄膜上方、微加熱器兩側(cè)的熱電堆，所述熱電堆包括上下堆疊串聯(lián)的多對(duì)熱電偶，每對(duì)熱電偶包括上下放置的P型硅和N型硅，以及用于連接P型硅和N型硅的金屬熱結(jié)，所述金屬熱結(jié)位于P型硅和N型硅上靠近微加熱器的一端；每對(duì)熱電偶的P型硅和N型硅之間，以及相鄰的熱電偶之間均設(shè)置用于電隔離的中間介質(zhì)薄膜。本發(fā)明所公開的流量傳感器芯片在不增加芯片面積的情況下，增加熱電偶的數(shù)目，提高熱電堆的靈敏度，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)MEMS流量傳感器芯片的信噪比和檢測(cè)精度輸出。