一種超級電容中聚吡咯納米管和石墨烯材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010768948.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112038113A 公開（公告）日 2020-12-04
申請公布號 CN112038113A 申請公布日 2020-12-04
分類號 H01G11/86;H01G11/30;H01G11/36;H01G11/48 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 章欣;閻超;侯峰濤;馬琦 申請（專利權(quán)）人 銥格斯曼航空科技集團(tuán)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中海智圣知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 銥格斯曼航空科技集團(tuán)股份有限公司
地址 100191 北京市海淀區(qū)知春路1號學(xué)院國際大廈11層1113室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超級電容中聚吡咯納米管和石墨烯材料的制備方法，包括：步驟1、利用原位聚合法制備聚吡咯納米管；步驟2、制備電極材料；步驟3、制備氧化石墨烯；步驟4、通過水熱法制備應(yīng)用超級電容中聚吡咯納米管和石墨烯的復(fù)合材料。本發(fā)明提出的技術(shù)方案能夠提高材料的導(dǎo)電能力，大大提高其比電容。實(shí)驗(yàn)表明聚吡咯納米管：石墨烯為1：8的比例達(dá)到最佳，可以極大提高比電容，其比電容達(dá)到502F/g。