基于肖特基結的線偏振光探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910706871.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110416348A 公開（公告）日 2019-11-05
申請公布號 CN110416348A 申請公布日 2019-11-05
分類號 H01L31/108（2006.01）I; H01L31/032（2006.01）I; H01L31/18（2006.01）I; B82Y30/00（2011.01）I; B82Y20/00（2011.01）I; B82Y15/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙凱; 魏鐘鳴; 李京波; 宗易昕; 鄧惠雄; 文宏玉 申請（專利權）人 杭州中科神光科技有限公司
代理機構 中科專利商標代理有限責任公司 代理人 中國科學院半導體研究所
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種基于肖特基結的線偏振光探測器及其制備方法，屬于光探測器的制備技術領域。所述基于肖特基結的線偏振光探測器，包括：漏電極、源電極、二氧化硅襯底以及有源層；所述漏電極、有源層以及源電極從左至右依次位于所述二氧化硅襯底上方；所述有源層的材料為N型半導體納米線；所述漏電極和源電極的材料均為金屬材料。本發(fā)明提供的基于肖特基結的線偏振光探測器，通過使用半導體納米線作為有源層，而源、漏電極均為金屬材料，使半導體和金屬的交界面為肖特基結，肖特基結可以使有源層本身只能吸收可見光延伸至紅外光。