二維多鐵半導(dǎo)體材料及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811019235.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109166963B 公開（公告）日 2020-04-21
申請公布號 CN109166963B 申請公布日 2020-04-21
分類號 H01L43/10;H01L43/12 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏鐘鳴;楊淮;李京波 申請（專利權(quán)）人 杭州中科神光科技有限公司
代理機構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種二維多鐵半導(dǎo)體材料及其制備方法，在二維半導(dǎo)體鐵電材料硒化銦中引入磁性元素，制備了兼具鐵磁性和鐵電性的二維多鐵半導(dǎo)體材料，其具有2H相的六方結(jié)構(gòu)，具體地，以硒粉、銦粒和磁性元素的氯化物粉末為原料，通過化學(xué)氣相輸運法或化學(xué)氣相沉積法進行制備。本發(fā)明獲得的二維多鐵半導(dǎo)體單晶材料為二維結(jié)構(gòu)，層內(nèi)由共價鍵結(jié)合，層間由范德瓦爾斯力結(jié)合，剝離后的納米厚薄膜同時具備鐵電性和鐵磁性，可作為制備高密度存儲器，電磁傳感器和多功能晶體管等器件的潛在應(yīng)用材料。