集成式二極管鏈功率MOS防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510008547.0 申請日 -
公開（公告）號 CN104505390B 公開（公告）日 2019-03-15
申請公布號 CN104505390B 申請公布日 2019-03-15
分類號 H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙建明; 徐開凱; 廖智; 黃平; 趙國; 鐘思翰; 徐彭飛; 胡興微; 蔣澎湃 申請（專利權(quán)）人 四川綠然電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 石家莊科誠專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 電子科技大學(xué); 四川藍(lán)彩電子科技有限公司; 四川綠然電子科技有限公司; 上海朕芯微電子科技有限公司
地址 611731 四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種集成式二極管鏈功率MOS防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，它包括由若干個MOS單元一起構(gòu)成的功率MOS結(jié)構(gòu)，和由兩組反向并聯(lián)的二極管鏈構(gòu)成的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的等效輸出端并接在所述功率MOS結(jié)構(gòu)的柵極和源極兩端；所述二極管鏈的開啟電壓大于功率MOS結(jié)構(gòu)最大柵源工作電壓，且小于柵氧化層的最小擊穿電壓。本發(fā)明的集成式二極管鏈功率MOS防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)寄生電容小、防護(hù)效果更好、工作更可靠，且充當(dāng)ESD防護(hù)的二極管單元設(shè)于n?外延上并且與MOS單元相隔離，使得制造工藝簡單、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定并且與MOS器件工藝相兼容。本發(fā)明的集成式二極管鏈功率MOS防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，適用于大功率、高電壓條件下對器件進(jìn)行保護(hù)工作。