一種低阻大電流DMOS器件芯片級CSP封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510008299.X 申請日 -
公開（公告）號 CN104538315B 公開（公告）日 2017-12-01
申請公布號 CN104538315B 申請公布日 2017-12-01
分類號 H01L21/50(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙建明;馮春陽;廖智;夏建新;黃平;徐開凱;趙國;鐘思翰;徐彭飛;胡興微;蔣澎湃 申請（專利權(quán)）人 四川綠然電子科技有限公司
代理機構(gòu) 石家莊科誠專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 電子科技大學;四川藍彩電子科技有限公司;四川綠然電子科技有限公司;四川洪芯微科技有限公司
地址 611731 四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種低阻大電流DMOS器件芯片級CSP封裝方法，它包括以下步驟：（一）大電流DMOS器件的表層絕緣層制作及電極引線制作：（二）大電流DMOS器件的背部保護層制作；（三）大電流MOS器件的側(cè)面保護層制作；（四）單個大電流功率DMOS器件分割。本發(fā)明采用表面鈍化技術(shù)，研究適用于無引線裸芯片封裝的電極布局和電極材料，開發(fā)無引線裸芯片封裝工藝，提高器件的穩(wěn)定性和可靠性。本發(fā)明芯片級CSP封裝方法適用于所有管腳位于同一平面內(nèi)的大電流功率MOS器件的封裝。