一種功率VDMOS器件二極管并聯(lián)式ESD防護(hù)機(jī)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510008374.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN104538395B | 公開（公告）日 | 2019-01-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN104538395B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-01-25 |
| 分類號(hào) | H01L27/02（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 趙建明; 徐開凱; 廖智; 黃平; 趙國; 鐘思翰; 徐彭飛; 胡興微; 蔣澎湃; 陳勇; 夏建新 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 四川綠然電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 石家莊科誠專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 電子科技大學(xué); 四川藍(lán)彩電子科技有限公司; 四川綠然電子科技有限公司; 上海朕芯微電子科技有限公司 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種功率VDMOS器件二極管并聯(lián)式ESD防護(hù)機(jī)構(gòu)，它包括由若干個(gè)VDMOS單元一起構(gòu)成的功率VDMOS器件，和由若干個(gè)齊納二極管單元構(gòu)成的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)；所述ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的等效輸出端并接在所述功率VDMOS器件的柵極和源極兩端；所述齊納二極管單元的反向擊穿電壓大于所述一種功率VDMOS器件二極管并聯(lián)式ESD防護(hù)機(jī)構(gòu)的最大柵源工作電壓，且小于柵氧化層的最小擊穿電壓。本發(fā)明的功率VDMOS器件二極管并聯(lián)式ESD防護(hù)機(jī)構(gòu)寄生電容小、防護(hù)效果更好、工作更可靠，充當(dāng)ESD防護(hù)的單元設(shè)于n?外延上并且與VDMOS單元相隔離，使得制造工藝簡單、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定并且與VDMOS器件工藝相兼容。本發(fā)明適用于功率VDMOS器件的ESD防護(hù)。 |
