寬范圍大電流高維持電壓的雙端ESD集成保護(hù)器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510008849.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104617094B 公開(kāi)（公告）日 2018-04-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN104617094B 申請(qǐng)公布日 2018-04-17
分類號(hào) H01L27/04;H01L21/77 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖智;趙建明;黃平;徐開(kāi)凱;趙國(guó);鐘思翰;王威;胡興微;徐彭飛;蔣澎湃;陳勇;夏建新 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 四川綠然電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 石家莊科誠(chéng)專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 電子科技大學(xué);四川藍(lán)彩電子科技有限公司;四川綠然電子科技有限公司;上海朕芯微電子科技有限公司
地址 611731 四川省成都市高新區(qū)(西區(qū))西源道2006號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種寬范圍大電流高維持電壓的雙端ESD集成保護(hù)器件及其制備方法，其中寬范圍大電流高維持電壓的雙端ESD集成保護(hù)器件由下至上依次設(shè)有金屬層，N+襯底、N?外延層、二氧化硅層，所述N?外延層頂端設(shè)有兩個(gè)對(duì)稱的、貫通二氧化硅層的P+有源區(qū)，所述每個(gè)P+有源區(qū)的外圍設(shè)有保護(hù)環(huán)，在所述保護(hù)環(huán)的外圍還設(shè)有場(chǎng)限環(huán)，P+型有源區(qū)通過(guò)接觸孔引出兩個(gè)金屬電極，并在接觸孔四周的二氧化硅層上設(shè)有金屬場(chǎng)板。本發(fā)明采用兩個(gè)背靠背二極管結(jié)構(gòu)的雙端集成器件作為高壓ESD保護(hù)器件，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、耐壓性高等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明適用于高電壓下對(duì)器件的ESD/ESO的保護(hù)。