雙軌SRAM電路及SRAM存儲(chǔ)器
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011472173.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112489707A | 公開(公告)日 | 2021-03-12 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112489707A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-12 |
分類號(hào) | G11C7/10(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I;G11C5/14(2006.01)I | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
發(fā)明人 | 曾健忠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王政 |
地址 | 518000廣東省深圳市福田區(qū)梅林街道孖嶺社區(qū)凱豐路10號(hào)翠林大廈8層806J | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種雙軌SRAM電路及SRAM存儲(chǔ)器,通過控制電路輸出第一控制信號(hào);第一電壓轉(zhuǎn)換電路當(dāng)接收輸入電壓時(shí),根據(jù)第一控制信號(hào)將輸入電壓轉(zhuǎn)換為第一供電電壓;第二電壓轉(zhuǎn)換電路當(dāng)接收輸入電壓時(shí),根據(jù)第一控制信號(hào)將輸入電壓轉(zhuǎn)換為標(biāo)稱電壓;標(biāo)稱電壓為雙軌SRAM電路的額定電壓;SRAM外圍電路根據(jù)第一供電電壓上電工作;SRAM存儲(chǔ)陣列根據(jù)標(biāo)稱電壓上電工作;其中,第一供電電壓小于等于標(biāo)稱電壓;故減小了雙軌SRAM電路的功耗。?? |
