雙軌SRAM電路及SRAM存儲(chǔ)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011472173.5 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN112489707A 公開(公告)日 2021-03-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN112489707A 申請(qǐng)公布日 2021-03-12
分類號(hào) G11C7/10(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I;G11C5/14(2006.01)I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 曾健忠 申請(qǐng)(專利權(quán))人 深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王政
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)梅林街道孖嶺社區(qū)凱豐路10號(hào)翠林大廈8層806J
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種雙軌SRAM電路及SRAM存儲(chǔ)器,通過控制電路輸出第一控制信號(hào);第一電壓轉(zhuǎn)換電路當(dāng)接收輸入電壓時(shí),根據(jù)第一控制信號(hào)將輸入電壓轉(zhuǎn)換為第一供電電壓;第二電壓轉(zhuǎn)換電路當(dāng)接收輸入電壓時(shí),根據(jù)第一控制信號(hào)將輸入電壓轉(zhuǎn)換為標(biāo)稱電壓;標(biāo)稱電壓為雙軌SRAM電路的額定電壓;SRAM外圍電路根據(jù)第一供電電壓上電工作;SRAM存儲(chǔ)陣列根據(jù)標(biāo)稱電壓上電工作;其中,第一供電電壓小于等于標(biāo)稱電壓;故減小了雙軌SRAM電路的功耗。??