一種碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611064911.6 申請日 -
公開（公告）號 CN106636719B 公開（公告）日 2018-06-29
申請公布號 CN106636719B 申請公布日 2018-06-29
分類號 C22C1/10;C22C1/02;C22C21/00;C23C18/08;C23C18/04 分類 冶金；黑色或有色金屬合金；合金或有色金屬的處理;
發(fā)明人 周樂平 申請（專利權(quán)）人 江西樂富軍工裝備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江西樂富軍工裝備有限公司
地址 330000 江西省南昌市南昌縣小藍(lán)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)鑫維大道
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的制備方法，包括初步堿洗：用于去除Si、SiO2夾渣和SiC表面形成的SiO2薄膜；刻蝕：對碳化硅顆粒表面進(jìn)行刻蝕；浸泡前驅(qū)體溶液：獲得表面附著前驅(qū)體相的碳化硅顆粒；熱分解：獲得表面附著Ir?Cu氧化物復(fù)合層的碳化硅顆粒；無壓滲透：制得碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料。通過本發(fā)明所述碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的制備方法，可以實(shí)現(xiàn)在無壓滲透之前先在SiC表面形成一層Ir?Cu氧化物復(fù)合層，能有效改善增強(qiáng)相顆粒界面與鋁合金液相界面的附著程度，進(jìn)而減少兩相間產(chǎn)生的孔隙，宏觀上表現(xiàn)為復(fù)合材料的熱導(dǎo)率提高。