一種集成肖特基結(jié)構(gòu)溫度傳感器的MOSFET器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011322781.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114530376A | 公開（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114530376A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-24 |
| 分類號(hào) | H01L21/336（2006.01）I;H01L23/34（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李鑫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 瑤芯微電子科技（上海）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 200120上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路1690號(hào)3幢405、416室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種集成肖特基結(jié)構(gòu)溫度傳感器的MOSFET器件及其制備方法，方法包括：選取N型襯底層；在N型襯底層上形成N型外延層；在N型外延層的兩端的內(nèi)表面形成P阱注入?yún)^(qū)；在P阱注入?yún)^(qū)的內(nèi)表面形成N+注入?yún)^(qū)；在P阱注入?yún)^(qū)的內(nèi)表面形成P+注入?yún)^(qū)；在部分N型外延層、部分P阱注入?yún)^(qū)和部分N+注入?yún)^(qū)上形成第一柵氧化層和第二柵氧化層；在P+注入?yún)^(qū)和部分N+注入?yún)^(qū)上形成源極；在N型襯底層的下表面形成漏極；在N型外延層上形成復(fù)合金屬層；在第一柵氧化層和第二柵氧化層上形成柵極。本發(fā)明所形成的肖特基結(jié)構(gòu)的溫度傳感器可以通過測(cè)試電流的變化，實(shí)時(shí)監(jiān)控MOSFET器件體內(nèi)的熱分布、結(jié)溫等熱特性，從而指導(dǎo)器件工作狀態(tài)的變化。 |
