一種集成PiN結(jié)構(gòu)溫度傳感器的MOSFET器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011322785.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114530377A 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN114530377A 申請公布日 2022-05-24
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L23/34（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李鑫 申請（專利權(quán)）人 瑤芯微電子科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 200120上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路1690號3幢405、416室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種集成PiN結(jié)構(gòu)溫度傳感器的MOSFET器件及其制備方法，方法包括：選取N型襯底層；在N型襯底層上形成N型外延層；在N型外延層的兩端的內(nèi)表面形成P阱注入?yún)^(qū)；在P阱注入?yún)^(qū)的內(nèi)表面形成N+注入?yún)^(qū)；在P阱注入?yún)^(qū)的內(nèi)表面形成P+注入?yún)^(qū)、同時在N型外延層的內(nèi)表面形成P區(qū)；在部分N型外延層、部分P阱注入?yún)^(qū)和部分N+注入?yún)^(qū)上形成第一柵氧化層和第二柵氧化層；在P+注入?yún)^(qū)和部分N+注入?yún)^(qū)上形成源極；在N型襯底層的下表面形成漏極；在P區(qū)上形成復(fù)合金屬層；在第一柵氧化層和第二柵氧化層上形成柵極。本發(fā)明所形成的PiN結(jié)構(gòu)的溫度傳感器可以通過測試電流的變化，實(shí)時監(jiān)控MOSFET器件體內(nèi)的熱分布、結(jié)溫等熱特性，從而指導(dǎo)器件工作狀態(tài)的變化。