MEMS麥克風(fēng)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210418882.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114640933A 公開(kāi)（公告）日 2022-06-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN114640933A 申請(qǐng)公布日 2022-06-17
分類號(hào) H04R19/04（2006.01）I;H04R7/06（2006.01）I;H04R31/00（2006.01）I 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 呂婷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 瑤芯微電子科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 201207上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路1690號(hào)3幢405、416室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MEMS麥克風(fēng)及其制備方法。該制備方法包括步驟：提供基底，形成第一犧牲層；形成光刻膠層，進(jìn)行第一次曝光顯影定義出第一凹槽；對(duì)殘余的光刻膠層進(jìn)行烘烤，以使光刻膠部分熔融，使得第一凹槽的側(cè)壁坡度變緩；進(jìn)行第二次曝光顯影，形成第二凹槽；于第一犧牲層中形成第一凹槽和第二凹槽后，去除殘余的光刻膠層；采用保形沉積工藝形成多晶硅層以形成振膜；刻蝕出第一泄氣孔；形成第二犧牲層，進(jìn)行光刻刻蝕，形成第三凹槽；形成背極材料層；形成背板材料層；刻蝕出第六凹槽、振膜引線槽和背極引線槽；形成金屬引線；形成空腔；釋放出振膜、背極和背板結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可以有效減小應(yīng)力集中的問(wèn)題，提升振膜的機(jī)械強(qiáng)度。