一種基于外延溝道的MOSFET器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011322803.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114530370A 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN114530370A 申請公布日 2022-05-24
分類號 H01L21/28（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李鑫 申請（專利權(quán)）人 瑤芯微電子科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 200120上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路1690號3幢405、416室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于外延溝道的MOSFET器件及其制備方法，方法包括：選取N型襯底層；在N型襯底層上形成N型外延層；在N型外延層的兩端的內(nèi)表面形成P阱注入?yún)^(qū)；在P阱注入?yún)^(qū)的內(nèi)表面形成N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)，兩個(gè)N+注入?yún)^(qū)位于兩個(gè)P+注入?yún)^(qū)之間；在部分N型外延層、部分P阱注入?yún)^(qū)和部分N+注入?yún)^(qū)上形成外延溝道層；熱氧化外延溝道層和N型外延層形成第一柵氧化層、位于第一柵氧化層和N型外延層上的第二柵氧化層；在P+注入?yún)^(qū)和部分N+注入?yún)^(qū)上形成源極；在N型襯底層的下表面形成漏極；在第二柵氧化層上形成柵極。本發(fā)明形成了外延溝道層，并對該外延溝道層進(jìn)行了氧化處理，通過氧化方法形成柵氧化層，由此可以有效避免傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中溝道處的C簇問題，從而降低溝道缺陷密度、提升溝道遷移率、改善器件的可靠性。