太陽能級(jí)多晶硅提純鑄錠用坩堝涂層與其制法及坩堝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010527937.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102453955B 公開（公告）日 2015-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN102453955B 申請(qǐng)公布日 2015-02-11
分類號(hào) C30B15/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C03C17/22(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 史珺;程素玲 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海普羅新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高月紅
地址 201300 上海市浦東新區(qū)宣黃公路2455弄6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種太陽能級(jí)多晶硅提純鑄錠用坩堝涂層與其制法及坩堝，該坩堝涂層是涂于坩堝本體內(nèi)壁的涂層，主要是由水玻璃、氮化硅粉末、氫氧化鋇粉末及納米二氧化硅粉末為原料制成；該坩堝涂層的制法，包括：將選定的原料，按照一定比例混合調(diào)勻后，噴涂于坩堝本體內(nèi)壁，烘干、燒結(jié)后，即得。另外，該坩堝，包括石英材質(zhì)的坩堝本體，其中，坩堝本體的內(nèi)壁涂覆了一層如上所述的坩堝涂層。本發(fā)明的坩堝涂層可有效防止涂層顆粒剝落導(dǎo)致顆粒污染硅晶體，同時(shí)具有除雜效果。