用于制備準(zhǔn)單晶硅鑄錠的坩堝及準(zhǔn)單晶硅鑄錠的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110265043.9 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN102995103A 公開（公告）日 2013-03-27
申請公布號(hào) CN102995103A 申請公布日 2013-03-27
分類號(hào) C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 史珺;宗衛(wèi)峰;程素玲 申請（專利權(quán)）人 上海普羅新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 丁紀(jì)鐵
地址 201206 上海市浦東新區(qū)惠南鎮(zhèn)宣黃公路2455弄6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于制備準(zhǔn)單晶硅鑄錠的坩堝，其底部內(nèi)壁具有規(guī)則的空間分布的三維幾何形狀，規(guī)則的空間分布的三維幾何形狀由同一形狀的凹坑在二維空間復(fù)制排列而形成；凹坑由空心的倒立棱錐、空心的第一倒立棱臺(tái)和空心的第二倒立棱臺(tái)組成，第二倒立棱臺(tái)、第一倒立棱臺(tái)和倒立棱錐自上而下相互連通。本發(fā)明還公開了一種利用所述坩堝生長準(zhǔn)單晶硅鑄錠的方法。本發(fā)明能夠提高鑄錠質(zhì)量，增大晶粒尺寸，提高晶粒均勻度，促進(jìn)晶粒垂直生長，減少晶界數(shù)量和晶界處雜質(zhì)，使硅錠晶粒的尺寸增大至與硅電池片尺寸一致，切片后得到的單個(gè)電池晶體為準(zhǔn)單晶體，實(shí)現(xiàn)采用低成本方式制備準(zhǔn)單晶結(jié)構(gòu)的硅電池片，降低了電池片的成本，提高了電池片的效率。