多晶硅原料的清洗方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110285053.9 申請日 -
公開（公告）號 CN103011168A 公開（公告）日 2013-04-03
申請公布號 CN103011168A 申請公布日 2013-04-03
分類號 C01B33/037(2006.01)I 分類 無機化學;
發(fā)明人 史珺;卿喻楚;李華杰 申請（專利權）人 上海普羅新能源有限公司
代理機構 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 上海普羅新能源有限公司
地址 201300 上海市浦東新區(qū)惠南鎮(zhèn)宣黃公路2455弄6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多晶硅原料的清洗方法，包括步驟：將多晶硅料粉碎，用磁鐵去除硅粉中的鐵。將硅粉在過氧化氫溶液中浸泡2小時～24小時。將硅粉進行濕氧氧化。將硅粉放入鹽酸和氫氟酸的混合酸中浸泡。將硅粉用氫氟酸浸泡腐蝕。將硅粉放入超聲波水槽中進行超聲清洗。將硅粉在真空爐中烘干，得到目標產(chǎn)品。本發(fā)明通過酸洗能去除硅粉中的金屬雜質；以及利用硼在硅中平衡濃度和在SiO2中平衡濃度之比小于1，經(jīng)過濕氧氧化使雜質硼擴散到SiO2中，再通過酸洗去含大量硼的SiO2，從而能得到4N～5N的多晶硅。本發(fā)明還具有工藝方法簡單、成本低、工藝安全以及較少的污染的優(yōu)點。