太陽能級多晶硅制備中的真空固態(tài)揮發(fā)除磷的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010528342.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102452652B 公開（公告）日 2013-03-20
申請公布號 CN102452652B 申請公布日 2013-03-20
分類號 C01B33/037(2006.01)I 分類 無機化學;
發(fā)明人 史珺;程素玲 申請（專利權(quán)）人 上海普羅新能源有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海普羅新能源有限公司
地址 201300 上海市浦東新區(qū)宣黃公路2455弄6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種太陽能級多晶硅制備中的真空固態(tài)揮發(fā)除磷的方法，包括步驟：1)采用酸洗的方法，去除硅顆粒表面氧化層和晶界上的金屬雜質(zhì)，然后水洗，干燥；2)干燥后的硅顆粒中加入納米級二氧化硅粉，混合后壓片；3)將壓片后的混合物在真空下進行加熱保溫。本發(fā)明無需將硅熔化，能耗低，并且操作容易。