硅錠的鑄造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110254343.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102953117A 公開(kāi)（公告）日 2013-03-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN102953117A 申請(qǐng)公布日 2013-03-06
分類號(hào) C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 史珺;孫文彬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海普羅新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海普羅新能源有限公司
地址 201300 上海市浦東新區(qū)惠南鎮(zhèn)宣黃公路2455弄6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種硅錠的鑄造方法，包括步驟：在坩堝中進(jìn)行裝料，底層原料包括多晶硅粉、中間層原料由單晶硅片拼接而成、上層原料為多晶硅料；將坩堝置于鑄錠爐中并抽真空，將多晶硅粉燒結(jié)使單晶硅片固定；控制爐內(nèi)的垂直溫度梯度，使單晶硅片的上部部分熔化、并使多晶硅料熔化；控制爐內(nèi)的垂直溫度梯度，使晶粒沿著未熔化的單晶硅片向上生長(zhǎng)并得到硅錠。本發(fā)明能提高硅錠的晶粒尺寸、提高由硅錠制成的硅電池片的光電轉(zhuǎn)換效率，能降低生產(chǎn)成本。