硅錠的鑄造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201110254343.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN102953117B | 公開（公告）日 | 2015-06-10 |
| 申請公布號 | CN102953117B | 申請公布日 | 2015-06-10 |
| 分類號 | C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 史珺;孫文彬 | 申請（專利權）人 | 上海普羅新能源有限公司 |
| 代理機構 | 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 上海普羅新能源有限公司 |
| 地址 | 201300 上海市浦東新區(qū)惠南鎮(zhèn)宣黃公路2455弄6號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種硅錠的鑄造方法，包括步驟：在坩堝中進行裝料，底層原料包括多晶硅粉、中間層原料由單晶硅片拼接而成、上層原料為多晶硅料；將坩堝置于鑄錠爐中并抽真空，將多晶硅粉燒結使單晶硅片固定；控制爐內的垂直溫度梯度，使單晶硅片的上部部分熔化、并使多晶硅料熔化；控制爐內的垂直溫度梯度，使晶粒沿著未熔化的單晶硅片向上生長并得到硅錠。本發(fā)明能提高硅錠的晶粒尺寸、提高由硅錠制成的硅電池片的光電轉換效率，能降低生產(chǎn)成本。 |
