用于太陽能級多晶硅制備中的爐外精煉用坩堝及其制法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010523249.2 申請日 -
公開(公告)號 CN102452837B 公開(公告)日 2013-11-06
申請公布號 CN102452837B 申請公布日 2013-11-06
分類號 C01B33/037(2006.01)I;C04B35/66(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 史珺;宗衛(wèi)峰;陸蔚峰;程素玲 申請(專利權(quán))人 上海普羅新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高月紅
地址 201300 上海市浦東新區(qū)宣黃公路2455弄6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于太陽能級多晶硅制備中的爐外精煉用坩堝及其制法,該坩堝是由坩堝的內(nèi)壁與外壁組成,坩堝內(nèi)壁與外壁厚度之比為1∶9~5∶5;其制備方法,包括:坩堝內(nèi)壁采用石英和氫氧化鋇的混合料制作,石英和氫氧化鋇原料的重量比為10∶1~50∶1;外壁仍采用石英;坩堝內(nèi)壁與外壁厚度之比為1∶9~5∶5;經(jīng)1700~1900℃燒結(jié)5~15小時,得到坩堝。本發(fā)明的坩堝具有很好的耐高溫性、高溫穩(wěn)定性以及對硅液無污染等特性,該坩堝實用后,采用造渣除硼的效果可以達(dá)到70%~80%。