一種半導(dǎo)體芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620039008.3 申請日 -
公開（公告）號 CN205303503U 公開（公告）日 2016-06-08
申請公布號 CN205303503U 申請公布日 2016-06-08
分類號 H01L33/20(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃曉東;陳錫園 申請（專利權(quán)）人 鎵谷科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 200031 上海市徐匯區(qū)淮海中路1720號眾聯(lián)別墅E座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種半導(dǎo)體芯片，包括襯底，依次生長在襯底上的N型層、發(fā)光層、P型層以及設(shè)置在N型層與P型層上的N電極和P電極，在所述襯底與N型層之間有濺鍍的圖形結(jié)構(gòu)。所述襯底的材料是藍寶石，所述圖形結(jié)構(gòu)的材料是Cu。所述半導(dǎo)體芯片相對于現(xiàn)有技術(shù)使用了比ITO透明電極相對廉價的導(dǎo)電材料銅，具有高抗沖擊性和低總電阻的性能，因而具有高可視度以及成本競爭力，可大幅度節(jié)約生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。