銅質(zhì)引線框架及其表面處理方法、封裝體及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110712015.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113594048B | 公開(公告)日 | 2022-03-11 |
申請公布號 | CN113594048B | 申請公布日 | 2022-03-11 |
分類號 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;C25F3/02(2006.01)I;C25D11/34(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 魯緯;陳志釗;徐俊 | 申請(專利權(quán))人 | 廣東華智芯電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 袁薈 |
地址 | 528251廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)軟件園桃園路南海產(chǎn)業(yè)智庫城一期A座A616、A618室(住所申報) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種銅質(zhì)引線框架及其表面處理方法、封裝體及其制備方法。本發(fā)明通過將銅質(zhì)引線框架進(jìn)行脫脂處理,使其被活化,使得能更好地進(jìn)行微蝕處理,形成具有一定粗糙度和極高表面活性的外表面,然后進(jìn)行電解氧化處理,并設(shè)定了電解氧化液的組成、電解氧化的電流密度以及處理溫度,平衡了氧化反應(yīng)和溶蝕反應(yīng),使得最終形成的氧化膜具有垂直交錯的微觀孔隙結(jié)構(gòu),較傳統(tǒng)技術(shù)中棕化處理得到的相對平面化的微觀粗化結(jié)構(gòu)具備更好的表面粘合性能,從而使得表面處理后的銅質(zhì)引線框架與塑料也能具備較好的結(jié)合力,能用于制備高氣密性的塑料空腔封裝體,在維持了良好氣密性的前提下,有效降低了封裝體的制造成本。 |
