銅質引線框架及其表面處理方法、封裝體及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110712015.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113594048A | 公開(公告)日 | 2021-11-02 |
申請公布號 | CN113594048A | 申請公布日 | 2021-11-02 |
分類號 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;C25F3/02(2006.01)I;C25D11/34(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 魯緯;陳志釗;徐俊 | 申請(專利權)人 | 廣東華智芯電子科技有限公司 |
代理機構 | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 | 代理人 | 袁薈 |
地址 | 528251廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)軟件園桃園路南海產業(yè)智庫城一期A座A616、A618室(住所申報) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及集成電路封裝技術領域,特別是涉及一種銅質引線框架及其表面處理方法、封裝體及其制備方法。本發(fā)明通過將銅質引線框架進行脫脂處理,使其被活化,使得能更好地進行微蝕處理,形成具有一定粗糙度和極高表面活性的外表面,然后進行電解氧化處理,并設定了電解氧化液的組成、電解氧化的電流密度以及處理溫度,平衡了氧化反應和溶蝕反應,使得最終形成的氧化膜具有垂直交錯的微觀孔隙結構,較傳統技術中棕化處理得到的相對平面化的微觀粗化結構具備更好的表面粘合性能,從而使得表面處理后的銅質引線框架與塑料也能具備較好的結合力,能用于制備高氣密性的塑料空腔封裝體,在維持了良好氣密性的前提下,有效降低了封裝體的制造成本。 |
