一種紅外探測(cè)器及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010771103.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112071924A | 公開（公告）日 | 2020-12-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112071924A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-11 |
| 分類號(hào) | H01L31/0232(2014.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊為家;邱晨;吳質(zhì)樸;何畏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳市奧倫德元器件有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 深圳市奧倫德元器件有限公司 |
| 地址 | 518100廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道黃閣路天安數(shù)碼創(chuàng)業(yè)園1號(hào)廠房B座3樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種紅外探測(cè)器及其制備方法，包括：第一電極；Si基紅外探測(cè)器，所述Si基紅外探測(cè)器與所述第一電極連接；Si?GeSi?Ge納米柱，述Si?GeSi?Ge納米柱與所述Si基紅外探測(cè)器連接；第二電極，所述第二電極與所述Si?GeSi?Ge納米柱連接。所述Ge殼層具有較強(qiáng)的金屬屬性，可以與金屬電極形成良好的界面接觸，提高器件的光生載流子的提取效率；與此同時(shí)，可以使整個(gè)外加的偏壓電場(chǎng)分布得更加均勻，有利于縮短光生載流子的遷移路徑。Si?GeSi?Ge納米柱可以起到減反膜的作用，同時(shí)其量子效應(yīng)可以幫助提高對(duì)光的吸收效率。Si與Ge可以形成良好的異質(zhì)結(jié)，提高對(duì)光的吸收效率。?? |
