紅外探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010358791.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111584659B 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN111584659B 申請公布日 2021-10-12
分類號 H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/109（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H03K17/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊為家;何畏;林士修;吳質(zhì)樸 申請（專利權(quán)）人 深圳市奧倫德元器件有限公司
代理機構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標事務所有限公司 代理人 孫浩
地址 518100廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道黃閣路天安數(shù)碼創(chuàng)業(yè)園1號廠房B座3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種紅外探測器及其制備方法，其中，紅外探測器包括：金屬電極，以及自下而上依次設置的襯底、砷化鎵基層和石墨烯層；襯底上設置有與砷化鎵基層相平行的長條陣列式凹槽，砷化鎵基層設置于長條陣列式凹槽上，砷化鎵基層表面具有砷化銦量子點，金屬電極設置在所述砷化鎵基層兩端。本發(fā)明中，通過在砷化鎵基層表面設置砷化銦量子點，同時能夠使得砷化鎵基層相對該長條陣列式凹槽進行橫向生長，從而可提高砷化鎵基層的光響應能力，縮短紅外探測器的響應時間，通過石墨烯層、砷化鎵基層以及金屬電極之間的配合，能夠提高對于光生載流子的提取效率，提升紅外探測器的靈敏度。