鎵鋁砷材質(zhì)的紅外LED芯片的功率提升方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010003804.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111162155B 公開（公告）日 2021-07-06
申請公布號 CN111162155B 申請公布日 2021-07-06
分類號 H01L33/54;H01L33/58 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邱晨;吳質(zhì)樸;何畏 申請（專利權(quán)）人 深圳市奧倫德元器件有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 孫浩
地址 518100 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道黃閣路天安數(shù)碼創(chuàng)業(yè)園1號廠房B座3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鎵鋁砷材質(zhì)的紅外LED芯片的功率提升方法，包括：對紅外LED芯片涂上光刻膠并進(jìn)行烘烤處理；對紅外LED芯片的P面進(jìn)行光刻處理使得P面生成導(dǎo)光孔，再進(jìn)行烘烤處理；將紅外LED芯片浸泡至由磷酸和雙氧水混合的第一混合溶液中進(jìn)行刻蝕處理；將刻蝕處理后的紅外LED芯片浸泡至由硝酸、冰醋酸和水混合的第二混合溶液中進(jìn)行粗化處理；將粗化處理后的紅外LED芯片進(jìn)行去膠處理和清洗處理。通過光刻處理在P面生成導(dǎo)光孔，增大了發(fā)光面積，提高了發(fā)光功率；刻蝕處理可以形成敞開狀的導(dǎo)光孔，使得大部分光線不會被反射或者吸收，提高了發(fā)光功率；另外，對P面、N面和側(cè)面進(jìn)行表面粗化以及對導(dǎo)光孔進(jìn)行粗化能夠增加發(fā)光面積，提高發(fā)光功率。