一種NOR閃存器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810186542.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110335867A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN110335867A 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01L27/115;H01L27/11517 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 熊濤;劉釗;許毅勝;舒清明 申請（專利權(quán)）人 上海格易電子有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)郭守敬路498號1幢502/15
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種NOR閃存器件及其制備方法，其中，NOR閃存器件，包括依次層疊的襯底、隧穿氧化層、浮柵層、介電層和控制柵層；至少一個貫穿控制柵層和介電層的浮柵過孔，浮柵過孔位于有源區(qū)，用于暴露出浮柵層，以引出浮柵電極；至少一個有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)，有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)設置于襯底和介電層之間，用于在對浮柵層的化學機械拋光工藝中，減少浮柵過孔暴露出的浮柵層的磨損。本發(fā)明的技術(shù)方案，通過增設有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)，可以有效的降低化學機械拋光工藝對其周圍浮柵層的拋光速率，增加其周圍浮柵層的厚度，可以避免由于浮柵層過薄而導致NOR閃存器件出現(xiàn)漏電或擊穿的現(xiàn)象，提高了NOR閃存器件的可靠性。