半導(dǎo)體器件的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010174821.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113394163A 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN113394163A 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L21/768（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許毅勝;羅嘯;熊濤 申請（專利權(quán)）人 上海格易電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;馮麗欣
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)郭守敬路498號1幢502/15、502/17、502/19、502/21室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該制造方法包括：在襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；在襯底中形成摻雜區(qū)，摻雜區(qū)至少位于柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；形成覆蓋襯底與柵極結(jié)構(gòu)的絕緣結(jié)構(gòu)；去除絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分，以便于形成第一凹部，第一凹部自絕緣結(jié)構(gòu)的表面向襯底延伸至第一預(yù)設(shè)深度且與摻雜區(qū)的位置對應(yīng)；以及經(jīng)第一凹部去除絕緣結(jié)構(gòu)的第二部分，以便于形成貫穿絕緣結(jié)構(gòu)的第一接觸孔，至少部分摻雜區(qū)被第一接觸孔暴露。通過分步去除絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分與第二部分形成了穿過絕緣結(jié)構(gòu)的第一接觸孔，降低了形成第一接觸孔的工藝難度，使得第一接觸孔不僅可以到達(dá)襯底，并且保證了第一接觸孔的形貌正常，從而提高了器件的可靠性。