高頻下具有低介電常數(shù)和損耗的硅氧烷及其制備方法和應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010813742.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111909192B 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN111909192B 申請公布日 2022-06-21
分類號 C07F7/08;C08F130/08 分類 有機化學〔2〕;
發(fā)明人 房強;劉鳳萍;孫晶 申請（專利權）人 中國科學院上海有機化學研究所
代理機構 上海一平知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 高一平;徐迅
地址 200032 上海市徐匯區(qū)零陵路345號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及高頻下具有低介電常數(shù)和損耗的硅氧烷及其制備方法和應用。具體地，本發(fā)明公開了一種硅氧烷單體，以所述單體固化所得樹脂在高頻下具有低介電常數(shù)和低介電損耗、高耐熱性、良好加工性和低吸水率，特別適合用于制備高頻電路板。